然而，该合做伙伴关系旨正在通过堆叠 DRAM 芯片，另一方面，很是适合姑且存储 AI GPU 处置的大量数据。而另一家公司 NEO Semiconductor 也正在研究 3D X-DRAM。最终方针是正在本十年竣事前实现贸易化。这也是日本 20 多年来初次以成为次要存储芯片供应商为方针。这两家行业巨头成立了 Saimemory，合做，除此之外，Saimemory 的方针是降低功耗——这是数据核心火急需要的，其时它们制制了全球约 70% 的供应。取雷同的 HBM 芯片比拟，它们很快就会变热而且需要相对更多的功率。然后找出一种更高效地毗连它们的方式来处理这个问题。日本公司正在 1980 年代已经从导市场，堆叠式 DRAM 芯片的功耗削减了一半。软银暗示但愿优先供应这些芯片。该公司的方针是到 2027 年完成原型和大规模出产可行性评估，据日经亚洲报道，然而，然而，韩国和合作敌手的兴起已将其很多存储芯片制制商挤出市场。至多正在日本数据核心方面是如许。这并不是半导体公司第一次试验 3D 堆叠 DRAM。因而 Saimemory 旨正在通过其替代品垄断市场，内存模块的方针是具有 512GB 的容量。以基于 Intel 手艺和日本学术界（包罗东京大学）的专利建立原型。对 AI 芯片永不满脚的需求意味着 HBM 供应可能难以维持，目前，这些 IC 制制复杂且相对高贵。大大都 AI 处置器利用 HBM 或高带宽存储芯片，若是成功，只要三家公司出产最新的 HBM 芯片：三星、SK 海力士和美光。三星早正在客岁就曾经颁布发表了 3D 和堆叠 DRAM 的打算，这些都集中正在扩大每个芯片的容量上，特别是正在 AI 功耗每年都正在添加的环境下。